Жорес Иванович Алферов

   Родился 15 марта 1930 года в городе Витебске (Белоруссия). В декабре в 1952 году окончил ЛЭТИ. В январе 1953 поступил в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, где в 1961 году защитил кандидатскую диссертацию и докторскую диссертацию в 1970 году. 

   Научные работы в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, технической физики. Принимал участие в создании первых отечественных транзисторов, фотодиодов, мощных германиевых выпрямителей. Открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах. Разработанные на основе гетероструктур лазеры, светоизлучающие диоды, фотодиоды, транзисторы и солнечные батареи широко используются в современных системах передачи и хранения информации и в космической энергетике.

   В 2000 году был удостоен Нобелевской премии по физике за фундаментальные работы, заложившие основы современных информационных технологий посредством создания полупроводниковых гетероструктур, используемых в сверхвысокочастотной и оптической электронике.

   С 1989 года по 1992 год являлся народным депутатом СССР. С 1995 года по настоящее время является депутатом Государственной Думы Федерального Собрания Российской Федерации. С 2000 года является членом Комитета по науке и образованию Государственной Думы.